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サムスン電子、業界初の3ナノ量産開始

韓国のサムスン電子は6月30日、回路線幅が3ナノ(ナノは10億分の1)メートルの半導体製品の量産を業界で初めて開始したと発表した。

3ナノは半導体の微細化では最先端となり、ライバルであるファウンドリー(半導体の受託製造)世界最大手の台湾積体電路製造(TSMC)に先駆けての量産開始となった。

サムスン電子は、電流が流れるチャンネルを4方向からゲートで囲む新しいトランジスタ技術である「GAA(Gate―All―Around)構造」を適用した。3ナノGAA1世代工程は、従来の5ナノ立体構造トランジスタ(FinFET)工程に比べ電力は45%節減し、性能は23%向上、面積は16%縮小する。2世代の場合は、電力は50%節減、性能は30%向上、面積は35%縮小できるという。

■モバイルSoCなどにも適用へ

サムスン電子はまず、3ナノ工程をハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)向けのシステム半導体の生産に適用し、その後もモバイルSoC(システム・オン・チップ)などに拡大していく方針だ。

サムスン電子は3ナノ半導体の量産を世界に先駆けて開始=韓国(同社提供)

サムスン電子は3ナノ半導体の量産を世界に先駆けて開始=韓国(同社提供)


関連国・地域: 韓国
関連業種: IT・通信

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