南洋大ら３者、ＩｏＴ向け次世代メモリー開発へ

シンガポールの南洋理工大学（ＮＴＵ）と首相府直轄の国家研究財団（ＮＲＦ）、米半導体製造大手グローバルファウンドリーズ（ＧＦ）は21日、モノのインターネット（ＩｏＴ）機器向け抵抗変化型メモリー（ＲｅＲＡＭ）の研究開発（Ｒ＆Ｄ）で提携したと発表した。

３者は１億2,000万米ドル（約130億円）を投じて、直径12インチのウエハー向けＲｅＲＡＭの研究開発に取り組む。試作品は最先端技術の研究施設が集まるＮＴＵの「スマートキャンパス」内で開発し、試験を実施することになっている。提携期間は４年。資金拠出の分担に関しては明らかにしていない。

ＲｅＲＡＭは従来のランダム・アクセス・メモリー（ＲＡＭ）から進化した次世代の内蔵メモリー。外部の電圧を加えることによる電気抵抗の変化を利用した不揮発性メモリーで、読み書きの速度と容量で優れ、小型化も可能でエネルギー、コスト効率も良いとされる。

南洋理工大学（ＮＴＵ）ら３者はＩｏＴ機器向け抵抗変化型メモリーのＲ＆Ｄで提携した（ＮＴＵ提供）