ＳＫ、１テラの96層ＮＡＮＤ型メモリー開発

韓国半導体大手のＳＫハイニックスは９日、容量が１テラ（テラは１兆）ビットの96層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発し、出荷を始めたと発表した。主に３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤに使われる「チャージトラップフラッシュ」（ＣＴＦ）という技術に、１つの素子に４ビットを記録する「ＱＬＣ」という呼ばれる技術を加えた。同社は、生産効率などで既存の３ＤＮＡＮＤ型よりさらに進化した意味で「４Ｄ」と命名している。

３ビット記録する現行に比べて記憶容量は33％増えることになる。チップサイズも既存のＱＬＣに比べて90％縮小。データ処理能力も２倍向上したという。

１テラの96層ＮＡＮＤ型メモリー（ＳＫハイニックス提供）