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SK、1テラの96層NAND型メモリー開発

韓国半導体大手のSKハイニックスは9日、容量が1テラ(テラは1兆)ビットの96層NAND型フラッシュメモリーを開発し、出荷を始めたと発表した。主に3次元(3D)NANDに使われる「チャージトラップフラッシュ」(CTF)という技術に、1つの素子に4ビットを記録する「QLC」という呼ばれる技術を加えた。同社は、生産効率などで既存の3DNAND型よりさらに進化した意味で「4D」と命名している。

3ビット記録する現行に比べて記憶容量は33%増えることになる。チップサイズも既存のQLCに比べて90%縮小。データ処理能力も2倍向上したという。

1テラの96層NAND型メモリー(SKハイニックス提供)

1テラの96層NAND型メモリー(SKハイニックス提供)


関連国・地域: 韓国
関連業種: IT・通信

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