サムスンが3ナノ半導体量産、21年を目標

サムスン電子は2021年をめどに、回路線幅を3ナノ(ナノは10億分の1)メートルまで縮めた次世代半導体の受託生産を本格的に開始する。実現すれば業界初となり、半導体受託生産(ファウンドリー)最大手の台湾積体電路製造(TSMC)に先行する見通しだ。

22日(現地時間)、米カリフォルニア州で開催された「サムスンファウンドリーフォーラム2018」で発表した。回路の微細化では、最先端の製造技術「EUV(極紫外線)露光」を活用する。

現在は、TSMCが7ナノ技術を使った製品を量産中。サムスン電子は年内に7ナノ製品のテスト生産を開始した後、19年に5ナノ製品と4ナノ製品の商用化を目指す。サムスン電子は21年にも3ナノ製品の量産を開始し、TSMCとのシェア格差を一気に縮めたい考えだ。

サムスンファウンドリーフォーラム2018は7月にソウル、9月に東京でそれぞれ開催される。


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