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GaN用いた半導体材料、韓国で初開発

韓国の半導体材料メーカー、IVワークスが21日、パワー半導体向けのトランジスタ材料である窒化ガリウム(GaN)ウエハーの国産化に初めて成功したと発表した。

同社はシリコン基板上にGaN結晶が成長した直径8インチのエピタキシャルウエハー(エピウエハー)と、炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶が成長した直径4インチのエピウエハーを開発した。

これを用いた次世代パワー半導体は、高効率の電力変換分野や無人自動車のセンサー、防衛産業用レーダー、次世代通信規格「5G」分野に用いられる。

IVワークスは国内および海外の企業と提携し、5Gと防衛産業分野に進出する計画だ。

IVワークスはGaNを用いた半導体材料を韓国で初めて開発した(同社提供)

IVワークスはGaNを用いた半導体材料を韓国で初めて開発した(同社提供)


関連国・地域: 韓国
関連業種: IT・通信

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