• 印刷する

GaN用いた半導体材料、韓国で初開発

韓国の半導体材料メーカー、IVワークスが21日、パワー半導体向けのトランジスタ材料である窒化ガリウム(GaN)ウエハーの国産化に初めて成功したと発表した。

同社はシリコン基板上にGaN結晶が成長した直径8インチのエピタキシャルウエハー(エピウエハー)と、炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶が成長した直径4インチのエピウエハーを開発した。

これを用いた次世代パワー半導体は、高効率の電力変換分野や無人自動車のセンサー、防衛産業用レーダー、次世代通信規格「5G」分野に用いられる。

IVワークスは国内および海外の企業と提携し、5Gと防衛産業分野に進出する計画だ。

IVワークスはGaNを用いた半導体材料を韓国で初めて開発した(同社提供)

IVワークスはGaNを用いた半導体材料を韓国で初めて開発した(同社提供)


関連国・地域: 韓国
関連業種: IT・通信

その他記事

すべての文頭を開く

ジンエアー免許取り消さず、当局が最終決定(08/17)

ポスコエナジー、燃料電池事業を切り離しか(08/17)

LGCNS、社内ベンチャー第1号を分社化(08/17)

コンビニ・外食で省力化の波 賃金上昇で、決済インフラ活用(08/17)

テイクオフ:総勢96人の日韓中の美…(08/17)

韓国、香港で食品販売に注力 コスパに強み、韓流も追い風に(08/17)

主要30グループ、上期投資額が24%増(08/17)

LGD、上期の有機ELパネル売り上げ倍増(08/17)

半導体好景気まもなく終了か、懸念高まる(08/17)

【予定】17日 米国糖尿病エデュケーター学会議ほか(08/17)

すべての文頭を開く

※本コメント機能はFacebook Ireland Limitedによって提供されており、この機能によって生じた損害に対して株式会社エヌ・エヌ・エーは一切の責任を負いません。

NNAからのご案内

出版物

各種ログイン