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過熱する300層NAND競争

サムスン来年量産、SKは25年中

NAND型フラッシュメモリーで300層以上の超高層化競争が熱を帯びている。SKハイニックスは、2025年の量産を目指す321層NANDのサンプルを今年8月に公開。サムスン電子は今月17日、24年上半期中に300層以上の9世代NANDを量産する方針を明らかにした。NAND世界2位のキオクシアホールディングス(HD)と4位の米ウエスタンデジタル(WD)の統合も迫る中、韓国勢はお得意の積層型NANDの進化で引き離したい考え。

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